半导体行业无疑是信息时代最重要的基础设施,而存储芯片作为半导体行业的核心产品,其价格和需求也随着宏观环境以及下游需求的变化而波动,具有较强的周期属性。在经历了两年多的下行周期后,存储芯片乃至整个半导体行业有望在2024年迎来周期拐点。同时随着物联网、人工智能等新兴领域的迅速发展,存储市场需求将会进一步增长。东芯股份作为国内领先存储芯片厂商之一,已形成SLC NAND + NOR + DRAM + MCP四大核心产品类别,具有较高的市场份额和客户认可度,并成功进入多家国内外知名客户的供应链体系,有望在新一轮的存储周期中受益。
存储周期复苏将至
回看半导体行业的发展历程,行业整体呈现出比较强的周期性。在过去二十多年中,共出现了四轮周期,每一轮持续时间大概在4-5年左右,上行周期和下行周期一般都在2年左右。存储器占整个半导体行业销售比重超过20%,是半导体最为重要的细分领域之一。存储器的周期基本与半导体行业的周期同步,且呈现出相对更高的弹性。本轮存储周期的高点出现在2021年年中左右,下行至今已经历了超过两年时间。
自2023年7月起,主流型号存储器的价格就已明显企稳,9月起至今更是普遍录得20%以上的涨幅。市场产生了明显的边际变化,出现周期回暖迹象。
从存储芯片的供给端看,存储头部厂商自2022年底起即开始对产量进行控制:西部数据从2023年1月开始削减30%产量;SK海力士从2022年10月即对低端产品减产,同时在2023年进一步削减NAND产量的5-10%;三星在2023年4月宣布减产,并在下半年继续执行;美光宣布减产30%直至2024年;凯侠在2022年10月宣布将日本四日市和北上NAND FLASH晶圆厂减产约30%。
根据头部厂商近期披露的财报数据,大部分头部厂商目前仍处于亏损状态。预计在头部企业实现扭亏前,仍将继续执行目前的控产策略。美光近期给出指引,预计2024年Q2或Q3才能实现毛利率转正。预计供给端偏紧的状态将至少持续至2024年年中。
从需求端看,下游消费电子市场的疲软是导致本轮存储器周期下行的主要原因之一。由于宏观经济增速放缓,2020、21年笔电购买高峰退坡等因素,消费电子景气度自2022年起持续下降。根据 Trendforce 的预计,2023年智能手机、笔记本电脑的出货量将同比下降3.1%和13.2%。
边际变化出现在今年Q3。根据 Canalys 数据,Q3智能手机出货量达到了2.946亿部,单季同比降幅大幅收窄至1%;个人电脑出货量6560万台,环比增长8%,同比降幅收窄至7%,创下一年内最少跌幅。根据 Trendforce 预计,智能手机及PC市场将在2023Q4起实现温和增长,2024年智能手机、笔电出货量将分别增长2.9%和2.1%。
展望2024年,供给端维持收缩,需求端逐步恢复,存储周期复苏可期。
人工智能刺激大容量高速存储需求
Chatgpt于2022年11月推出后迅速引爆全球资本市场对人工智能的热情。AI大模型需要通过AI服务器进行训练,AI模型的训练离不开高速大容量存储的支持。
根据TrendForce分析,AI服务器需要配置更多DRAM、SSD和HBM等大容量存储以应对日益复杂的大模型所带来的海量数据。当前服务器DRAM普遍配置约为500 - 600GB,而AI服务器DRAM 配置可达1.2 - 1.7TB,是普通服务器的二到三倍。而根据TrendForce数据,2022年AI服务器出货量85.5万台,2023年将大幅增长38%至118.3万台。AI服务器出货量及单台DRAM配置量的双重增长,将大幅提升服务器领域对于存储的需求。
另外,AI大模型训练对内存带宽提出了更高要求。HBM(高带宽存储器)是一款新型内存芯片,其特点是大容量、高带宽。目前最新的HBM3带宽最高可达819GB/s。ChatGPT热潮带动HBM需求快速增长,TrendForce 预计2023年全球HBM市场规模为39亿美元,2024年随着HBM3渗透率大幅提升,有望进一步带动2024年HBM市场规模增长至89 亿美元,同比增长127%。
目前HBM市场主要由SK海力士、三星和美光这三大巨头垄断。其中SK海力士市占率50%,三星占据40%,美光占据10%。AI大模型一方面带动了大容量高速存储芯片的需求,提高了存储市场整体的景气度,另外一方面也使得海外大厂将更多产能转向此类产品,限制了其在利基型存储产品的产能,对利基型存储市场也将形成利好。
物联网快速发展带动利基型存储需求
物联网(IOT)指的是通过互联网连接和互相通信的各种设备的网络。这些设备可以是传感器、智能手机、家用电器、汽车、工业设备等。它们通过内置的传感器、软件和其他技术,实现设备之间的互联互通,从而实现自动化控制、监测和交互。
物联网的发展速度非常快,近年来呈现出爆发式增长的趋势。根据市场研究机构Statista的数据,2023年全球物联网设备数量将超过150亿个,预计2030年这一数字将增长至295亿个,年均复合增长率达到11%。
由于物联网设备通常体积小巧和轻量化,且一般需要长时间运行,因此应用于物联网设备的存储芯片也需要具备体积小、功耗低、高可靠性等特点。以NOR和SLC NAND为代表的利基型存储器正是具备了以上这些特点,因此被广泛应用于各种物联网设备,未来也将长期受益于物联网行业的快速发展。
多因素共振东芯股份或将受益
作为国内存储领域头部企业之一,东芯股份已形成SLC NAND+NOR+DRAM+MCP 四大产品类别,是大陆少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。
SLC NAND和NOR等利基型存储芯片是公司的核心产品。由于技术结构上的特点,相较于MLC/TLC NAND,SLC NAND具有高可靠性、高可擦除性等优势,被广泛应用于5G 通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。公司是国内SLC NAND领域的龙头企业,已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等行业主流平台厂商的验证,并已获得包括中兴通讯、烽火通信、海康威视、大华股份、创维数字、航天信息等知名终端客户的认可。
公司也高度重视研发工作,并在存储芯片领域积累了较强的技术实力。根据公司财报,2023年前三季度公司累计研发投入达到1.27亿元,同比增长51.06%。研发进展看,先进制程的 1xnm NAND Flash 产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造,正在进行晶圆测试及工艺调整工作;NOR Flash 可实现 48nm 制程量产;DRAM 已可实现 25nm 工艺节点的量产;车规产品方面,公司目前也已有部分产品通过 AEC-Q100 的认证。
步入2024年,在头部厂商控产、下游需求恢复、AI及物联网带动需求等多重积极因素影响下,存储行业回暖可能将是大概率事件。在这一背景下,叠加国产替代的行业趋势,东芯股份作为国内存储领域的头部企业,预计将在新一轮存储周期中迎来更多发展机遇,下一阶段的业绩表现值得期待。
本文来源：财经报道网
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